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                碳化硅 (SiC)

                碳化硅(SiC)器件属于所谓的宽禁带半导体组别。与常用硅(Si)器件相比,它们为》高压功率半导体提供了许多有吸引力的特性。特别是,碳化▃硅具备更高的击穿电场强度和导热率,可以制造出远超相应硅基的登录瑞彩祥云app器件。这样您就可以在设计中实ξ现原本无法企及的效率水平。

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                产品介绍

                碳化硅(SiC)二极管和晶体管是现代电力电子瑞彩祥云彩票银行卡解绑解决方案和创新电力电子瑞彩祥云绑定了银行卡绑解决方案的关键组件,旨在实现超高功率∏密度和效率。通过将芯片瑞彩祥云Ⅱ合法吗作为独立组件或与功率模块中Ψ 的硅功率器件结合,可以实瑞彩祥云彩票作弊软件现这些目标。特别是碳化硅二极管,它是↓进一步扩展 IGBT技术的重要部分。
                由于存储电荷少,所以可以显着降低现代 IGBT 的导通损耗,因此与相应的纯硅我玩那个瑞彩祥云彩票基解决方案相比,可以实现更高◇的开关频率和/或更高的电流处理能力。

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                15 F3L15MR12W2M1_B69
                11 F3L11MR12W2M1_B65

                评估板

                图片 型号 描述 目标应用
                EVAL-PS-E1BF12-SIC 该板的目的是评估FF11MR12W1M1_B11和FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC? MOSFET模块。
                评估瑞彩祥云被骗能追回损失吗板允许进行双脉冲测量以及DC / DC转换器的功能测试◤。因此,该板设计为双向降压 - 升瑞彩祥云彩票作弊软件压转换器。
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